时间: 2024-10-25 01:38:05 | 作者: 热销产品
金融界 2024 年 8 月 14 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，钰大半导体股份有限公司获得一项名为“可双向耐压的 DMOS 器材“，授权公告号 CN118263330B，请求日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显现，本发明触及一种可双向耐压的 DMOS 器材，包含源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极一起彼此耐压。本发明的可双向耐压的 DMOS 器材，经过一个 DMOS 器材代替两个串联的 MOS 器材来作为高功率管运用，关于特定耐压值，Rsp 能做到挨近两 MOS 器材的 Rsp 之和，完成相同的 Ron 方针，DMOS 器材面积能够减缩将近 50%，然后大幅度降低本钱。
